可控硅通态压降测试台 半导体测试行业

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一、产品简介（供货给北京科研院所）
该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的测试设备。
该套测试设备主要有以下几个单元组成：
1)门触发参数测试单元
2)维持电流测试单元
3)阻断参数测试单元
4)通态压降参数测试单元
5)电压上升率参数测试单元
6)擎住电流
7)门电阻
8)计算机控制系统
9)合格证标签打印
10)夹具单元；包含平板夹具和模块夹具
二、技术条件
主要技术指标：
2.1 门触发电压/门触发电流测试单元IGT/VGT
1.阳电压：12V;
2.阳串联电阻：6Ω;
3.门触发电压：0.3～5.00V&plun;3%&plun;10mV;
4.门触发电流：2～450mA&plun;3%&plun;1 mA;
2.2 维持电流测试单元IH
1. 阳电压：12V;
2.预导通电流： ＞10A,正弦衰减波；
3.维持电流： 2～450mA &plun;5%&plun;1 mA;
4.测试频率：单次；
2.3 通态压降测试单元VTM
1.平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度&plun;1 0A&plun;5%；
2.模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度&plun;1 0A&plun;5%；
3. 电流上升沿时间：≥5ms；
4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度&plun;0.1 V&plun;5%；
5. 测试频率：单次；
2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
1.阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度&plun;0.1 kV&plun;3%；
模块单元阻断电压：0.20～4.00kV
2. 正反向自动测试：
3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：&plun;5%&plun;1 mA；
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。
5. 测试频率： 50HZ
2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt
1.电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度&plun;5%；
2. 电压过冲范围：＜50V&plun;10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度&plun;10%；
2.6 擎住电流IL：100-1800mA
2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式
三、功能概述
3-1测试功能范围
该套测试设备主要可测试以下参数：
1.门参数测试：VGT、IGT
2.维持电流测试：IH
3.阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二管的VRRM、IRRM等参数。
4.压降单元
本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。
5、电压上升率参数测试：dv/dt
6、擎住电流IL
7、门电阻：适合门触发电压在0.95V以上器件测试
3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。