产地:湖北省 武汉市 东湖高新区 | 归属行业:参数测量仪
品牌:普赛斯仪表
有效期至:长期有效
SPA6100国产半导体电学参数测试设备iv|cv曲线分析仪配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU、低压脉冲SMU、大电流SMU;用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配。详询一八一四零六六三四七六
概述: SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。 基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。 产品特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可达0.03%精度; 内置标准器件测试程序,直接调用测试简便; 自动实时参数提取,数据绘图、分析函数; 在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线; 免费提供上位机软件及SCPI指令集; 典型应用: 纳米、柔性等材料特性分析; 二极管; MOSFET、BJT、晶体管、IGBT; 第三代半导体材料/器件; 有机OFET器件; LED、OLED、光电器件; 半导体电阻式等传感器; EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管; 电阻率系数和霍尔效应测量; 太阳能电池; 非易失性存储设备; 失效分析;
提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;
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