产地:湖北省 武汉市 东湖高新区 | 归属行业:参数测试仪器
品牌:普赛斯仪表
有效期至:长期有效
1000V高压脉冲源可程控源测量单元简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在前列象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数:
电压 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1200V | 120mV | 0.1%±300mV | 120mV | 0.1%±300mV |
1600V | 160mV | 0.1%±400mV | 160mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3500V | 350mV | 0.1%±900mV | 350mV | 0.1%±900mV |
电流性能参数:
电流 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
较大输出功率:350W,3500V/100mA(不同型号有差异);
输出电压建立时间典型值:< 5ms;
输出接口:E100:三同轴BNC;E200、E300:KHV(三同轴);
扫描:支持线性、对数及用户自定义扫描;
通信接口:RS232、以太网;
保护:支持急停、高压互锁保护;
触发:支持trig IN及trig out;
尺寸:19英寸2U机箱,深度:520mm(不包含挂耳及急停按钮)
应用领域:
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
1000V高压脉冲源可程控源测量单元订货信息
型号 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
测量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
较大功率 | 120W | 220W | 350W |
最小电压量程 | 100V | 100V | 100V |
较大电压量程 | 1200V | 2200V | 3500V |
最小电流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
较大电流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
目前,武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-12KV的电压电流范围,并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于绝对优势地位。详询一八一四零六六三四七六;
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